| 非晶氮氧化硅薄膜中新发光缺陷态的研究 |
| |
| 引用本文： | 董恒平,陈坤基,李伟,孙正凤,黄敏,段欢,曹燕,王友凤.非晶氮氧化硅薄膜中新发光缺陷态的研究[J].材料导报,2014,28(22):24-27. |
| |
| 作者姓名： | 董恒平 陈坤基 李伟 孙正凤 黄敏 段欢 曹燕 王友凤 |
| |
| 作者单位： | 1. 南京理工大学泰州科技学院,泰州,225300
2. 南京大学固体微结构物理国家重点实验室,南京,210093 |
| |
| 基金项目： | 江苏省2013年高等学校大学生创新创业训练计划项目，南京大学固体微结构物理国家重点实验室开放课题基金，泰州市科技支撑计划(工业)项目 |
| |
| 摘 要： | 利用等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法在室温下制备出非晶氮氧化硅(a-SiNxOy)薄膜。通过调节薄膜中的Si/N比例,可使其光致发光峰位在450~600nm的较宽波长范围内连续可调。对比a-SiNx薄膜和aSiNxOy薄膜的发光特性,发现此薄膜发光来源于由氧引入的新发光缺陷态。由光吸收谱的测量结果可以推断出此发光缺陷态在光吸收边之下约0.65eV处的禁带中。并且,通过傅里叶变换红外光谱(FTIR)和X射线光电子能谱(XPS)测量,证实了这种新发光缺陷态与薄膜中存在的O-Si-N键合结构有关。
|
| 关 键 词： | 非晶氮氧化硅薄膜 可调光致发光 缺陷态 |
Investigation on New Luminescent Defect State in Amorphous Silicon Oxynitride Films |
| |
| DONG Hengping;CHEN Kunji;LI Wei;SUN Zhengfeng;HUANG Min;DUAN Huan;CAO Yan;WANG Youfeng.Investigation on New Luminescent Defect State in Amorphous Silicon Oxynitride Films[J].Materials Review,2014,28(22):24-27. |
| |
| Authors: | DONG Hengping;CHEN Kunji;LI Wei;SUN Zhengfeng;HUANG Min;DUAN Huan;CAO Yan;WANG Youfeng |
| |
| Affiliation: | DONG Hengping;CHEN Kunji;LI Wei;SUN Zhengfeng;HUANG Min;DUAN Huan;CAO Yan;WANG Youfeng;Taizhou Institute of Science and Technology,Nanjing University of Science and Technology;National Laboratory of Solid State Microstructures,Nanjing University; |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | a-SiNxOy film tunable photoluminescence defect state |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
