| 纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备及特性 |
| |
| 引用本文： | 高建霞,宋国峰,甘巧强,徐云,郭宝山,陈良惠.纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备及特性[J].半导体学报,2007,28(2). |
| |
| 作者姓名： | 高建霞 宋国峰 甘巧强 徐云 郭宝山 陈良惠 |
| |
| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,纳米光电子实验室,北京,100083 |
| |
| 基金项目： | 中国科学院知识创新工程和国家高技术研究发展计划 |
| |
| 摘 要： | 在850 nm波长垂直腔面发射激光器的基础上制备了纳米孔径垂直腔面发射激光器.当小孔尺寸为400 nm×400 nm时,在25 mA驱动电流下,其最大输出光功率达到了0.3 mW,功率密度约为2 mW/μm2.文中介绍了纳米孔径垂直腔面发射激光器的制备工艺,并对它的光谱特性和寿命特性进行了分析.
|
| 关 键 词： | 近场光学 纳米孔径垂直腔面发射激光器 输出光功率 光学特性 |
Fabrication and Characteristics of Nano-Aperture Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser |
| |
| Gao Jianxia,Song Guofeng,Gan Qiaoqiang,Xu Yun,Guo Baoshan,Chen Lianghui.Fabrication and Characteristics of Nano-Aperture Vertical-Cavity Surface-Emitting Laser[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(2). |
| |
| Authors: | Gao Jianxia Song Guofeng Gan Qiaoqiang Xu Yun Guo Baoshan Chen Lianghui |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | |
| 本文献已被 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《半导体学报》下载全文 |
|
