| 高栅压下超薄栅nMOSFET的RTS噪声 |
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| 引用本文： | 鲍立,庄奕琪,包军林,李伟华. 高栅压下超薄栅nMOSFET的RTS噪声[J]. 半导体学报, 2007, 28(4) |
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| 作者姓名： | 鲍立 庄奕琪 包军林 李伟华 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
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| 摘 要： | 在深入研究SMIC 90nm工艺1.4nm栅厚度nMOS器件RTS噪声时域特性的基础上,提出了该类噪声电子隧穿栅介质的物理起源,并对高栅压下RTS噪声机理作了深入阐述.结合IMEC和TSMC的研究,建立了栅压与RTS噪声时间参数的物理模型,实验结果和模型模拟结果的一致说明了模型的有效性.该研究为边界陷阱动力学和此类器件可靠性提供了新的研究手段.
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| 关 键 词： | RTS 深亚微米 边界陷阱 MOS器件 |
RTS Noise in Ultra-Thin Oxide nMOSFET under High Gate Bias |
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| Bao Li,Zhuang Yiqi,Bao Junlin,Li Weihua. RTS Noise in Ultra-Thin Oxide nMOSFET under High Gate Bias[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(4) |
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| Authors: | Bao Li Zhuang Yiqi Bao Junlin Li Weihua |
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