| 吸收层与倍增层分离的4H-SiC雪崩光电探测器 |
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| 引用本文： | 朱会丽,陈厦平,吴正云.吸收层与倍增层分离的4H-SiC雪崩光电探测器[J].半导体学报,2007,28(2). |
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| 作者姓名： | 朱会丽 陈厦平 吴正云 |
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| 作者单位： | 厦门大学物理系,361005,厦门;厦门大学物理系,361005,厦门;厦门大学微机电中心,361005,厦门 |
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| 摘 要： | 设计和制备了吸收层和倍增层分开的4H-SiC穿通型雪崩紫外光电探测器.设计器件的倍增层和吸收层厚度分别为0.25和1μm.采用multiple junction termination extension(MJTE)方法减少器件的电流集边效应和器件表面电场.对器件的暗电流、光电流和光谱响应进行了测量.器件在55V的低击穿电压下获得了一个高的增益(＞104);穿通前器件暗电流约为10pA数量级;0V偏压下器件光谱响应的紫外可见比大于103.光谱响应的峰值波长随反向偏压的增大而向短波方向移动,在击穿电压附近光谱响应的峰值波长移到210nm,此波长远远小于在0V时的响应峰值.结果显示器件在紫外光探测中具有优良的性能.
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| 关 键 词： | 4H-SiC 紫外光 雪崩光电探测器 |
Separate Absorption and Multiplication 4H-SiC Ultraviolet Avalanche Photodetector |
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| Zhu Huili,Chen Xiaping,Wu Zhengyun.Separate Absorption and Multiplication 4H-SiC Ultraviolet Avalanche Photodetector[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(2). |
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| Authors: | Zhu Huili Chen Xiaping Wu Zhengyun |
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