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增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT小信号等效电路参数的提取
引用本文:徐静波,尹军舰,张海英,李潇,刘亮,叶甜春.增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT小信号等效电路参数的提取[J].半导体学报,2007,28(3).
作者姓名:徐静波  尹军舰  张海英  李潇  刘亮  叶甜春
作者单位:中国科学院微电子研究所,北京,100029
基金项目:国家自然科学基金,国家重点基础研究发展计划(973计划)
摘    要:介绍了增强型InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT小信号等效电路中元件参数值的提取方法,并利用IC-CAP软件EEHEMT1模型提取了参数.利用ADS软件验证了提参结果,ADS仿真的直流I-V曲线和S参数与实测结果基本吻合.结果表明EEHEMT1模型可以用于提取增强型PHEMT参数,并且具有可操作性.

关 键 词:增强型  InGaP/AlGaAs/InGaAs  PHEMT  小信号等效电路  参数提取

Abstraction of Small Signal Equivalent Circuit Parameters of Enhancement-Mode InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT
Xu Jingbo,Yin Junjian,Zhang Haiying,Li Xiao,Liu Liang,Ye Tianchun.Abstraction of Small Signal Equivalent Circuit Parameters of Enhancement-Mode InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(3).
Authors:Xu Jingbo  Yin Junjian  Zhang Haiying  Li Xiao  Liu Liang  Ye Tianchun
Abstract:An extraction method of the component parameter values of an enhancement-mode InGaP/AIGaAs/InGaAs PHEMT small signal equivalent circuit is presented,and these component parameter values are extracted by using the EEHEMT1 model of IC-CAP software. The extraction results are verified by ADS software, and the DC I-V curves and S parameters simulated by ADS are basically accordant with those of the test results. These results indicate that the EEHEMT1 model can be used for extracting the component parameters of an enhancement-mode PHEMT.
Keywords:enhancement-mode  InGaP/AlGaAs/InGaAs PHEMT  small signal equivalent circuit  parameter extraction
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