首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

复合布拉格反射镜高亮度AlGaInP发光二极管
引用本文:于晓东,韩军,李建军,邓军,林委之,达小丽,陈依新,沈光地.复合布拉格反射镜高亮度AlGaInP发光二极管[J].半导体学报,2007,28(1).
作者姓名:于晓东  韩军  李建军  邓军  林委之  达小丽  陈依新  沈光地
作者单位:北京工业大学光电子技术实验室,北京,100022
基金项目:国家重点基础研究发展计划(973计划),北京市属市管高等学校人才强教计划,北京工业大学校科研和教改项目
摘    要:采用光学薄膜理论中干涉矩阵模型计算了峰值波长为630nm的AlGaInP红光LED的Al0.6Ga0.4As/AlAs材料的常规DBR和复合DBR的反射谱特性,用LP-MOCVD方法生长了模拟设计的DBR结构,测量了其白光反射谱,实验与模拟结果基本符合.制备了采用Al0.6Ga0.4As/AlAs复合DBR的LED器件,未封装输出光功率为2.3mW,外量子效率为5.6%,发光效率可达12 lm/W,比常规DBR器件提高了35%.验证了复合DBR与常规DBR相比,可以大幅度提高AlGaInP红光LED的出光效率.

关 键 词:红光LED  复合分布式布拉格反射镜  金属有机物化学气相淀积  光提取效率

High Brightness AlGaInP LED with Coupled Distributed Bragg Reflector
Yu Xiaodong,Han Jun,Li Jianjun,Deng Jun,Lin Weizhi,Da Xiaoli,Chen Yixin,Shen Guangdi.High Brightness AlGaInP LED with Coupled Distributed Bragg Reflector[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(1).
Authors:Yu Xiaodong  Han Jun  Li Jianjun  Deng Jun  Lin Weizhi  Da Xiaoli  Chen Yixin  Shen Guangdi
Abstract:
Keywords:
本文献已被 万方数据 等数据库收录!
点击此处可从《半导体学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《半导体学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号