| 高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析 |
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| 引用本文： | 刘宗顺,赵德刚,朱建军,张书明,段俐宏,王海,史永生,刘文宝,张爽,江德生,杨辉.高响应度GaN肖特基势垒紫外探测器的性能与分析[J].半导体学报,2007,28(4). |
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| 作者姓名： | 刘宗顺 赵德刚 朱建军 张书明 段俐宏 王海 史永生 刘文宝 张爽 江德生 杨辉 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,集成光电子学国家重点联合实验室,北京,100083 |
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| 摘 要： | 制作了反向饱和电流为5.5×10-14 A/cm2,势垒高度为1.18eV的GaN肖特基势垒紫外探测器.测量了探测器分别在零偏压及反向偏压下的光谱响应度,响应度随反向偏压无显著变化,零偏压下峰值响应度在波长358.2nm处达到了0.214A/W.利用波长359nm光束横向扫描探测器的光敏面,测量了探测器在不同偏压下的空间响应均匀性,相应偏压下的光响应在光敏面中央范围内响应幅值变化不超过0.6%.光子能量在禁带边沿附近的光束照射下,GaN肖特基势垒紫外探测器存在势垒高度显著降低现象,这种现象在肖特基透明电极边沿及其压焊电极附近表现得更为突出.探测器在368和810nm波长光一起照射时的开路电压比只有368nm光照射时的开路电压大,而零偏压下两者的光电流近似相等.利用这种开路电压变化效应估算了探测器在368nm光照射下,表面被俘获空穴的面密度变化量约为8.4×1010 cm-2.
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| 关 键 词： | 肖特基势垒 紫外探测器 GaN 开路电压 禁带边 表面态 |
Analysis and Performance of a High Responsivity GaN Schottky-Barrier Ultraviolet Detector |
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| Liu Zongshun,Zhao Degang,Zhu Jianjun,Zhang Shuming,Duan Lihong,Wang Hai,Shi Yongsheng,Liu Wenbao,Zhang Shuang,Jiang Desheng,Yang Hui.Analysis and Performance of a High Responsivity GaN Schottky-Barrier Ultraviolet Detector[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(4). |
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| Authors: | Liu Zongshun Zhao Degang Zhu Jianjun Zhang Shuming Duan Lihong Wang Hai Shi Yongsheng Liu Wenbao Zhang Shuang Jiang Desheng Yang Hui |
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