| 深亚微米nMOSFET器件的总剂量电离辐射效应 |
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| 引用本文： | 孟志琴,郝跃,唐瑜,马晓华,朱志炜,李永坤.深亚微米nMOSFET器件的总剂量电离辐射效应[J].半导体学报,2007,28(2). |
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| 作者姓名： | 孟志琴 郝跃 唐瑜 马晓华 朱志炜 李永坤 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室,西安,710071 |
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| 摘 要： | 选取了采用0.25μm工艺的两组器件进行研究.通过对这两种器件关态泄漏电流、跨导和栅电流等电学参数进行分析,得出当器件发展到深亚微米阶段时,影响其辐射效应的主要原因是场氧化层中的陷阱电荷.并对相关机理进行了分析和仿真验证.
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| 关 键 词： | X射线 辐射 总剂量效应 关态泄漏电流 |
Total Ionizing Dose Effects of Deep Submicron nMOSFET Devices |
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| Meng Zhiqin,Hao Yue,Tang Yu,Ma Xiaohua,Zhu Zhiwei,Li Yongkun.Total Ionizing Dose Effects of Deep Submicron nMOSFET Devices[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(2). |
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| Authors: | Meng Zhiqin Hao Yue Tang Yu Ma Xiaohua Zhu Zhiwei Li Yongkun |
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