| 光电耦合器电流传输比的噪声表征 |
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| 引用本文： | 胡瑾,杜磊,庄奕琪,何亮,包军林,黄小君,陈春霞,卫涛. 光电耦合器电流传输比的噪声表征[J]. 半导体学报, 2007, 28(4) |
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| 作者姓名： | 胡瑾 杜磊 庄奕琪 何亮 包军林 黄小君 陈春霞 卫涛 |
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| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学技术物理学院,西安,710071
2. 西安电子科技大学微电子学院,西安,710071 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金，国防科技预研项目，国防重点实验室基金 |
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| 摘 要： | 光电耦合器中可俘获载流子的陷阱密度是影响其电流传输比(CTR)的重要因素,并与器件可靠性有密切关系.在器件内部的多种噪声中,1/f噪声可有效地表征器件陷阱密度.本文在研究光电耦合器工作原理以及1/f噪声理论的基础上,建立了光电耦合器的CTR表征模型和1/f噪声模型.在输入电流宽范围变化的条件下,测量了器件的电学噪声和CTR变化,实验结果验证了以上模型的正确性.将CTR模型与噪声模型相结合,得到了CTR与1/f噪声之间的关系.此关系应用于对光电耦合器辐照实验结果的分析,实验结果与理论得到的结论一致.理论与实验结果表明,噪声幅值越大,电流指数越接近于2,则器件的可靠性越差,相同工作条件下CTR的老化衰减量越大,其失效率显著增大.从而证明噪声可表征光电耦合器的CTR并能准确地反映器件的可靠性.
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| 关 键 词： | 1/f噪声 光电耦合器 电流传输比 陷阱 |
Noise as a Representation for CTR of Optoelectronic Coupled Devices |
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| Hu Jin,Du Lei,Zhuang Yiqi,He Liang,Bao Junlin,Huang Xiaojun,Chen Chunxia,Wei Tao. Noise as a Representation for CTR of Optoelectronic Coupled Devices[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2007, 28(4) |
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| Authors: | Hu Jin Du Lei Zhuang Yiqi He Liang Bao Junlin Huang Xiaojun Chen Chunxia Wei Tao |
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