| 高功率14xx nm锥形增益区脊形波导结构量子阱激光器的研制 |
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| 引用本文： | 李璟,马骁宇,王俊.高功率14xx nm锥形增益区脊形波导结构量子阱激光器的研制[J].半导体学报,2007,28(1). |
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| 作者姓名： | 李璟 马骁宇 王俊 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所,光电子器件国家工程中心,北京,100083 |
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| 基金项目： | 国防重点实验室基金，教育部跨世纪优秀人才培养计划，国家自然科学基金 |
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| 摘 要： | 初步设计14xx nm锥形增益区脊形波导量子阱激光器材料和器件结构,利用MOCVD生长14xx nm InGaAsP/InP量子阱激光器外延片,引入腔破坏凹槽(cavity-spoiling grooves)将有源层刻蚀断以隔离从锥形区反向传输回的高阶模,进一步改善远场光束质量.保持总腔长1900μm不变,改变脊形区的长度,其长度分别为450,700和950μm.对比三种情况的最高输出功率和远场特性,发现LRW＝700μm时,器件特性参数和远场光束质量最优,斜率效率为0.32W/A,饱和输出功率为1.21W,其远场为近衍射极限的高斯分布,发散角为29°×9.6°.当固定脊形区长度为700μm,改变锥形区长度,发现当锥形区长度为1000μm时,器件特性参数进一步提高,斜率效率达0.328W/A,饱和输出功率为1.27W,远场仍为近似高斯分布.
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| 关 键 词： | 量子阱激光器 锥形增益 脊形波导 14xx nm InGaAsP/InP |
High-Power Ridge-Waveguide Tapered Diode Lasers at 14xx nm |
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| Li Jing,Ma Xiaoyu,Wang Jun.High-Power Ridge-Waveguide Tapered Diode Lasers at 14xx nm[J].Chinese Journal of Semiconductors,2007,28(1). |
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| Authors: | Li Jing Ma Xiaoyu Wang Jun |
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