| Al_xGa_（1－x）As外延层中Si平面掺杂的SIMS研究 |
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| 引用本文： | 钟战天,吴冰清,曹作萍,张广泽,王佑祥,陈新,朱文珍,张立宝,肖君,朱勤生,邢益荣.Al_xGa_（1－x）As外延层中Si平面掺杂的SIMS研究[J].功能材料与器件学报,1995(1). |
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| 作者姓名： | 钟战天 吴冰清 曹作萍 张广泽 王佑祥 陈新 朱文珍 张立宝 肖君 朱勤生 邢益荣 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，中国科学院表面物理国家实验室 |
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| 摘 要： | 利用二次离子质谱（ＳＩＭＳ）系统地研究了生长温度，Ａｌ组份ｘ值和Ａｓ＿４压强对Ｓｉδ掺杂Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ的ＳＩＭＳ深度剖面，Ｓｉ原子表面分凝和向衬底扩散的影响。实验发现，在外延生长Ｓｉδ掺杂Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ时，随着生长温度的提高或Ａｌ组份Ｘ值增加，Ｓｉ掺杂分布ＳＩＭＳ峰都非对称展宽，表面分凝作用加强，但不影响Ｓｉ原子的扩散，因此ＳＩＭＳ剖面的展宽与扩散无关。另外，我们还发现Ａｓ＿４压强高于１．５×１０￣（－５）ｍｂａｒ时，Ａｓ＿４压强对δ掺杂空间分布影响不大，而Ａｓ＿４压强低于此压强时，Ｓｉ掺杂分布峰宽度增加很快，这主要由杂质扩散作用引起。生长温度对掺杂分布峰影响最大，其次是Ａｌ组份影响，而较小Ａｓ＿４压强的影响不可忽视。这些研究结果对外延生长Ｓｉδ掺杂Ａｌ＿ｘＧａ＿（１－ｘ）Ａｓ材料是有价值的。
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| 关 键 词： | 分子束外延，平面掺杂，二次离子质谱 |
SECONDARY-ION MASS SPECTROMETRY STUDY OF THE PLANAR Si-DOPED Al_xGa_(1-x)As |
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| Z.T.Zhong,B.Q.Wu,Z.P.Cao,G.Z.Zhang,Y.X.Wang,X.Chen,L.B.Zhong,.S. Zhu,Y.R.Xing.SECONDARY-ION MASS SPECTROMETRY STUDY OF THE PLANAR Si-DOPED Al_xGa_(1-x)As[J].Journal of Functional Materials and Devices,1995(1). |
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| Authors: | ZTZhong BQWu ZPCao GZZhang YXWang XChen LBZhong S Zhu YRXing |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MBE Planar-doped SIMS |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ |
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