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杂志ISSN号
氧分压强和基片温度对脉冲激光沉积的ZnO∶Al膜性能的影响
作者姓名:
葛水兵
程珊华
宁兆元
沈明荣
甘肇强
周咏东
褚君浩
作者单位:
苏州大学薄膜材料实验室!苏州215006(葛水兵,程珊华,宁兆元,沈明荣,甘肇强,周咏东),中国科学院上海技术物理研究所!上海200083(褚君浩)
摘 要:
利用脉冲激光法制备了ZnO∶Al透明导电膜。通过对膜进行霍尔系数测量及SEM、XRD测试分析 ,详细研究了沉积时的基片温度、氧分压强对膜的透光率和电阻率的影响。结果表明 :基片温度、氧分压强影响着膜的电学、光学性能和膜的结晶状况。从电学分析看出 :基片温度从 2 0 0℃升到 30 0℃过程中 ,膜的载流子浓度、透光率和光隙能相应增大。在氧分压强为0Pa、基片温度为 4 0 0℃下沉积的膜 ,其电阻率具有较低值 ,且在可见光区其透光率约为 90 %。
关 键 词:
脉冲激光沉积
ZnO膜
基片温度
氧分压强
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