| 高压强下GaN的结构相变及电子结构的第一性原理研究 |
| |
| 引用本文： | 李健翔,符斯列,蒋联娇,马娟娟,唐吉玉 . 高压强下GaN的结构相变及电子结构的第一性原理研究[J]. 材料导报, 2015, 29(22): 141-144, 149. DOI: 10.11896/j.issn.1005-023X.2015.22.031 |
| |
| 作者姓名： | 李健翔 符斯列 蒋联娇 马娟娟 唐吉玉 |
| |
| 作者单位： | 华南师范大学物理与电信工程学院,广东省量子调控工程与材料重点实验室,广州510006 |
| |
| 基金项目： | 国家自然科学基金(10575039);广东省自然科学基金(S2013010012548) |
| |
| 摘 要： | 基于密度泛函理论的平面波赝势方法,选择广义梯度近似(GGA)下的PBE算法-关联泛函对GaN晶体结构、能带结构以及电子态密度随压强的变化进行了研究,并计算出GaN材料的相变点压强值。研究结果表明:随着压强增加,常见的纤锌矿与闪锌矿GaN会发生结构相变成岩盐矿结构,并且其能带结构均由直接带隙转变成间接带隙。其中,通过焓相等原理得到纤锌矿到岩盐矿结构的相变压强为44.4GPa,而闪锌矿到岩盐矿结构的相变压强为43.6GPa。此外,随着压强增大,GaN纤锌矿、闪锌矿和岩盐矿的价带态密度均向低能方向偏移,而导带态密度向高能方向偏移,从而导致GaN共价性增强及带隙随压强增大而展宽。
|
| 关 键 词： | 第一性原理 GaN 结构相变 电子结构 |
First-principles Investigation of Structural Phase Transition and Electronic Structures of GaN Under High Pressure |
| |
| Abstract: | |
| |
| Keywords: | first-principles GaN phase transition electronic structure |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ |
| 点击此处可从《材料导报》浏览原始摘要信息 |
|
点击此处可从《材料导报》下载全文 |
|
