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| 0.5um CMOS工艺下GCNMOS ESD保护电路设计 | |
| 作者姓名： | 孙天奇 张宗江 邹衡君 王春荣 傅兴华 |
| 基金项目： | 贵州大学研究生创新基金 |
| 摘 要： | 分析GCNMOS的特点和工作机理,设计一种基于CSMC0.5um 2P3M CMOS工艺下改进的ESD保护电路,并对版图设计进行了优化。测试结果表明,芯片的抗ESD能力达到3600V,实现了对芯片的全方位ESD保护。 |
| 关 键 词： | ESD HBM GCNMOS 版图优化 |
| 本文献已被 CNKI 万方数据 等数据库收录！ | |
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