| 基于低温键合技术制备SOI材料 |
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| 引用本文： | 詹达,马小波,刘卫丽,宋志棠,封松林. 基于低温键合技术制备SOI材料[J]. 半导体学报, 2006, 27(z1): 189-192 |
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| 作者姓名： | 詹达 马小波 刘卫丽 宋志棠 封松林 |
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| 作者单位： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所,半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050;中国科学院研究生院,北京,100049;中国科学院上海微系统与信息技术研究所,半导体功能薄膜工程技术研究中心,上海,200050 |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金 , 上海市科技攻关项目 |
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| 摘 要： | 通过N 等离子体对Si片以及SiO2片表面活化,进行直接键合,研究了键合强度与退火温度的关系.研究结果表明退火温度从100℃升高到300℃的过程中,键合强度明显加强;高于300℃,键合强度略有增加,但不明显.结合N 等离子体处理技术和Smart-Cut技术制备出SOI结构,顶层硅缺陷密度表征表明在500℃退火后可得到较好的缺陷密度.该研究结果提供了一种SOI低温技术.
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| 关 键 词： | SOI 等离子体活化 键合强度 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)S0-0189-04 |
| 修稿时间： | 2005-10-11 |
Fabrication of SOI Material Using Low Temperature Bonding Technology |
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| Zhan Da,Ma Xiaobo,Liu Weili,Song Zhitang,Feng Songlin. Fabrication of SOI Material Using Low Temperature Bonding Technology[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2006, 27(z1): 189-192 |
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| Authors: | Zhan Da Ma Xiaobo Liu Weili Song Zhitang Feng Songlin |
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