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| 高频大功率MOS场效应晶体管 | |
| 作者姓名： | Hiroakilkeda 李东川 |
| 作者单位： | 日本广播公司 |
| 摘 要： | 设计和制造了一种高频大功率N沟MOS场效应晶体管,它适合用作甚高频(VHF)电视发射机的音频功率放大器。获得了130伏那样高的漏-源电压,在栅-源电压为20伏、漏电流为3A时其导通电阻为0.3Ω。为满足甚高频的工作频率,MOS场效应晶体管漏-源间反馈电容设计为0.8pF。这种MOS场效应晶体管在250MHz满意地工作,功率增益为7dB。 |
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