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克服铝自掺杂工艺的新进展
引用本文:陈庆贵,史日华.克服铝自掺杂工艺的新进展[J].半导体技术,1991(1):31-32.
作者姓名:陈庆贵  史日华
作者单位:中科院上海冶金研究所 (陈庆贵),中科院上海冶金研究所(史日华)
摘    要:克服铝自掺杂的高温处理新工艺与背封工艺一样,能起到抑制铝自掺杂的作用。该工艺已在实践中取得应用。

关 键 词:  掺杂工艺  高温处理  半导体器件
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