| 4H-SiC功率MOSFET可靠性研究进展 |
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| 引用本文： | 白志强,张玉明,汤晓燕,沈应喆,徐会源. 4H-SiC功率MOSFET可靠性研究进展[J]. 电子与封装, 2022, 22(4): 1-9. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0412 |
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| 作者姓名： | 白志强 张玉明 汤晓燕 沈应喆 徐会源 |
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| 作者单位： | 西安电子科技大学微电子学院,西安 710071 |
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| 基金项目： | 陕西省重点研发计划;国家重点研发计划 |
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| 摘 要： |
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| 关 键 词： | 碳化硅 MOSFET 可靠性 |
Research Progress on Reliability of 4H-SiC Power MOSFET |
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| BAI Zhiqiang,ZHANG Yuming,TANG Xiaoyan,SHEN Yingzhe,XU Huiyuan. Research Progress on Reliability of 4H-SiC Power MOSFET[J]. Electronics & Packaging, 2022, 22(4): 1-9. DOI: 10.16257/j.cnki.1681-1070.2022.0412 |
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| Authors: | BAI Zhiqiang ZHANG Yuming TANG Xiaoyan SHEN Yingzhe XU Huiyuan |
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| Abstract: | |
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