| 高性能A1GaN/GaN HEMT的肖特基特性 |
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| 引用本文： | 田秀伟,冯震,王勇,宋建博,张志国. 高性能A1GaN/GaN HEMT的肖特基特性[J]. 微纳电子技术, 2009, 46(2) |
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| 作者姓名： | 田秀伟 冯震 王勇 宋建博 张志国 |
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| 作者单位： | 中国电子科技集团公司,第十三研究所,石家庄,050051 |
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| 摘 要： | 研究了AIGaN/GaN HEMT制备中相关工艺对器件肖特基特性的影响,并对工艺进行了优化.首先研究了表面处理对器件肖特基势垒特性的影响,对不同的表面处理方法进行了比较,发现采用氧等离子体处理,并用V(HF):V(H2O)=1:5溶液清洗刻蚀后的表面,可以有效减小表面态密度,未经处理的样品肖特基接触理想因子为2.6,处理后理想因子减小到1.8.对SiN钝化膜的折射率与肖特基特性的关系进行了研究,发现SiN钝化膜的折射率为2.3～2.4时,钝化对肖特基特性的影响较小,但反向泄漏电流较大.
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| 关 键 词： | GaN高电子迁移率晶体管 肖特基接触 理想因子 泄漏电流 表面处理 表面钝化 |
Schottky Characteristic of High Performance A1GaN/GaN HEMT |
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| Tian Xiuwei,Feng Zhen,Wang Yong,Song Jianbo,Zhang Zhiguo. Schottky Characteristic of High Performance A1GaN/GaN HEMT[J]. Micronanoelectronic Technology, 2009, 46(2) |
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| Authors: | Tian Xiuwei Feng Zhen Wang Yong Song Jianbo Zhang Zhiguo |
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