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上电次序控制和上电跟踪控制的实现
作者姓名:金国锋
作者单位:Maxim公司北京办事处
摘    要:为了在提高DSP、CPU、FPGA、ASIC处理能力的同时不显著增加功耗,通常采用双电压或三电压结构,芯片核心部分采用1.2V、1.5V或1.8V供电,I/O部分仍然使用3.3V以与周边的器件电平兼容。在CMOS芯片设计中,往往要求其中的一个电压比另一个先上电或两个电压同时加载、压差不超过PN结的正向压降,以防止CMOS器件出现晶闸管效应而损坏。采用线性稳压器件供电时,在输入电压开始上升时,输出电压也会随之上升,因此,很容易实现核电压和I/O电压同时上升。但是随着芯片工作频率的提高和晶体管数量的增多,功耗越来越大,电流要高达5A,LDO供电方…

关 键 词:MAX6820 NMOS 上电次序控制 上电跟踪控制
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