| HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征 |
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| 引用本文： | 林郭强,曾一平,段瑞飞,魏同波,马平,王军喜,刘喆,王晓亮,李晋闽. HVPE气相外延法在c面蓝宝石上选区外延生长GaN及其表征[J]. 半导体学报, 2008, 29(3): 530-533 |
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| 作者姓名： | 林郭强 曾一平 段瑞飞 魏同波 马平 王军喜 刘喆 王晓亮 李晋闽 |
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| 作者单位： | 中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083;中国科学院半导体研究所，北京 100083 |
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| 摘 要： | 使用气相沉积SiO2和普通光刻以及湿法腐蚀方法,在C面蓝宝石上开出不同尺寸的正方形窗口,在窗口区域中露出衬底,然后使用氢化物气相外延(HVPE)方法选区外延GaN薄膜.采用光学显微镜、原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)、高分辨率双晶X射线衍射(DCXRD)和喇曼谱测试(Raman shift)对薄膜进行分析.结果表明,在C面蓝宝石衬底上独立的正方形窗口区域中外延生长的,厚度约20μm的GaN薄膜,当窗口面积为100μm×100μm时,GaN表面无裂纹;而当窗口面积为300μm×300μm和500μm×500μm时,GaN表面有裂纹.随着窗口面积的减小,GaN双晶衍射摇摆曲线的(0002)峰的半高宽(FWHM)减小,表明晶体的质量更好,最小的半高宽为530".从正方形窗口区的角上到边缘再到中心,GaN的面内压应力逐渐减小,分析认为这与OaN横向外延区(ELO区)与SiO2掩膜之间的相互作用,以及窗口区到ELO区的线位错的90"扭转有关.
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| 关 键 词： | 氮化镓 选区外延 氢化物气相外延 |
| 文章编号： | 0253-4177(2008)03-0530-04 |
| 收稿时间： | 2007-08-31 |
| 修稿时间： | 2007-09-18 |
Selective Area Growth and Characterization of GaN Grown on c-Sapphire by Hydride Vapor Phase Epitaxy |
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| Lin Guoqiang,Zeng Yiping,Duan Ruifei,Wei Tongbo,Ma Ping,Wang Junxi,Liu Zhe,Wang Xiaoliang and Li Jinmin. Selective Area Growth and Characterization of GaN Grown on c-Sapphire by Hydride Vapor Phase Epitaxy[J]. Chinese Journal of Semiconductors, 2008, 29(3): 530-533 |
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| Authors: | Lin Guoqiang Zeng Yiping Duan Ruifei Wei Tongbo Ma Ping Wang Junxi Liu Zhe Wang Xiaoliang Li Jinmin |
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| Affiliation: | Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China;Institute of Semiconductors,Chinese Academy of Sciences,Beijing 100083,China |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | GaN selective area growth HVPE |
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