首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     

晶体管放大器相位噪声的正交优化设计
引用本文:余道衡,冯金梅,胡庆军.晶体管放大器相位噪声的正交优化设计[J].电子与信息学报,1988,10(1):65-71.
作者姓名:余道衡  冯金梅  胡庆军
作者单位:北京大学 北京 (余道衡),航天部 北京 (冯金梅),中国科学院系统研究所 北京(胡庆军)
摘    要:本文给出了频标放大器输出级相位噪声功率谱密度的公式。为了降低相位噪声,用正交法对电路参数进行了优化设计。实验结果表明,放大器经优化设计后,其频率稳定度(阿仑方差)优于(35)10-13/s。

关 键 词:晶体管放大器    低噪声放大器    正交优化设计    CAD
收稿时间:1986-6-15
修稿时间:1986-9-12

ORTHOGONAL OPTIMAL DESIGN FOR PHASE NOISE OF TRANSISTORIZED AMPLIFIER
Yu Daoheng,Feng Jinmei,Hu Qingjun.ORTHOGONAL OPTIMAL DESIGN FOR PHASE NOISE OF TRANSISTORIZED AMPLIFIER[J].Journal of Electronics & Information Technology,1988,10(1):65-71.
Authors:Yu Daoheng  Feng Jinmei  Hu Qingjun
Affiliation:Beijing University Beijing; Ministry of Astronautics Beijing; Institute of System Science Academia Sinica Beijing
Abstract:A formula of phase spectrum density for transistorized amplifier is given. In order to decrease phase noise, optimal design for parameters of amplifier by using Orthogonal Array Table (OAT) is completed. The experimental result shows that the frequency stability (Allen variance) is better than (3-5) ×10-13s-1.
Keywords:Transistorized amplifier  Lew noise amplifier  Orthogonal optimal design  CAD
本文献已被 CNKI 等数据库收录!
点击此处可从《电子与信息学报》浏览原始摘要信息
点击此处可从《电子与信息学报》下载全文
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号