| 基于AlGaN/GaN HEMT的功率放大器的研究进展 |
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| 引用本文： | 王冲,刘道广,郝跃,张进城. 基于AlGaN/GaN HEMT的功率放大器的研究进展[J]. 微电子学, 2005, 35(3): 245-247 |
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| 作者姓名： | 王冲 刘道广 郝跃 张进城 |
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| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学,微电子研究所,陕西,西安,710071
2. 西安电子科技大学,微电子研究所,陕西,西安,710071;中国电子科技集团公司,第二十四研究所,重庆,400060 |
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| 基金项目： | 国家重大基础研究发展(973)计划资助项目(2002CB311904)，国防预先研究项目 |
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| 摘 要： | 介绍了几类常见的基于AlGaN／GaN HEMT的微波功率放大器；论述了制造微波功率放大器的两种关键工艺技术——倒装芯片集成(FC-IC)和共平面线(CPW)；分析了自行研制的微波功率放大器核心器件AlGaN／GaN HEMT的性能。
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| 关 键 词： | 微波功率放大器 微波集成电路 高电子迁移率器件 AlGaN／GaN 倒装芯片集成 共平面线 |
| 文章编号： | 1004-3365(2005)03-0245-03 |
Progress in the Development of Power Amplifiers Based on AlGaN/GaN HEMT''''s |
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| WANG Chong,LIU Dao-guang,HAO Yue,ZHANG Jin-cheng. Progress in the Development of Power Amplifiers Based on AlGaN/GaN HEMT''''s[J]. Microelectronics, 2005, 35(3): 245-247 |
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| Authors: | WANG Chong LIU Dao-guang HAO Yue ZHANG Jin-cheng |
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| Affiliation: | WANG Chong1,LIU Dao-guang 1,2,HAO Yue1,ZHANG Jin-cheng1 |
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| Abstract: | Several commonly used microwave power amplifiers based on AlGaN/GaN high electron mobility transistors (HEMT's) are described. Two major processing tecnologies for microwave power amplifiers,flip-chip IC (FC-IC) and coplanar wire (CPW), are introduced. And finally, AlGaN/GaN HEMT's, the core devie for power amplifiers, are developed, and their characteristics are analyzed. |
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| Keywords: | Microwave power amplifier MMIC HEMT AlGaN/GaN Flip-chip IC Coplanar wire |
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