| 硼轻掺杂对非晶硅薄膜光电性能的影响 |
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| 引用本文： | 钱祥忠. 硼轻掺杂对非晶硅薄膜光电性能的影响[J]. 光电子技术, 2004, 24(2): 93-95,103 |
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| 作者姓名： | 钱祥忠 |
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| 作者单位： | 温州师范学院物理与电子信息学院,温州,325027 |
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| 摘 要： | 用化学气相沉积法制备了厚度为 2 μm左右、掺杂比为 ( 2～ 6)× 1 0 -6的硼轻掺杂非晶硅半导体薄膜 ,测量了样品光电流随掺杂比、电压和光波长的变化。结果表明 ,非晶硅薄膜的光电流随掺杂比、电场强度和光功率密度的增大而增大 ,光电流灵敏度最高频谱范围随掺杂比和电场强度的增大而增大 ,掺杂比改变对光电流的影响比电场强度和光功率密度变化的影响更明显
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| 关 键 词： | 非晶硅 掺杂 光电流 频谱特性 |
| 文章编号： | 1005-488X(2004)02-0093-03 |
Influence of Light-dope Boron on Optoelectronic Properties of a-Si Films |
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| QIAN Xiang zhong. Influence of Light-dope Boron on Optoelectronic Properties of a-Si Films[J]. Optoelectronic Technology, 2004, 24(2): 93-95,103 |
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| Authors: | QIAN Xiang zhong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | a Si films dope photocurrent frequency characteristics |
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