| 退火对高阻AZO薄膜结构及紫外特性的影响 |
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| 引用本文： | 曹东.退火对高阻AZO薄膜结构及紫外特性的影响[J].电子器件,2010,33(6). |
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| 作者姓名： | 曹东 |
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| 作者单位： | 电子科技大学 |
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| 基金项目： | 四川省应用基础项目资助 |
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| 摘 要： | 在石英衬底上采用射频磁控溅射的方法制备高电阻AZO薄膜,其中高电阻由高氧氩比环境得到.采用X射线衍射(XRD)、扫描电子显微镜(SEM)对薄膜的晶体结构、表面形貌进行表征,重点研究了不同退火温度对薄膜的结构及紫外光电导特性的影响.结果表明:适当温度的退火有助于薄膜结构的优化,而随着退火温度的增加,薄膜的紫外光电导特性呈现出先增加后减小的变化趋势,并在400 ℃条件下达到最优紫外响应效果.
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| 关 键 词： | AZO薄膜 高温退火 紫外光电导特性 |
Effects of annealing on the microstructure and UV photoconductive properties of AZO films |
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| CAO Dong,JIANG Xiangdong,LI Dawei,SUN Jiwei.Effects of annealing on the microstructure and UV photoconductive properties of AZO films[J].Journal of Electron Devices,2010,33(6). |
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| Authors: | CAO Dong JIANG Xiangdong LI Dawei SUN Jiwei |
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