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LBO晶体的生长缺陷研究
作者姓名:刘希玲 徐忠彬 等
作者单位:[1]山东教育学院数理系,济南250013 [2]山东工业大学材料学院,济南250061
摘    要:采用化学腐蚀光学显微法和同步辐射截面形貌术研究了三硼酸锂(LBO)晶体的生长缺陷,实验结果表明,LBO晶体中的主要缺陷是位错、包裹物和扇形界。讨论了这些缺陷形成的原因和降低缺陷的措施。

关 键 词:LBO晶体 生长缺陷 化学腐蚀 光学显微法 三硼酸锂晶体 同步辐射 截面形貌术 位错 包裹物 成因
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