| GaAs MSM结构光电探测器的光电特性研究 |
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| 引用本文： | 李志奇,王庆康.GaAs MSM结构光电探测器的光电特性研究[J].固体电子学研究与进展,1992,12(3):224-229. |
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| 作者姓名： | 李志奇 王庆康 |
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| 作者单位： | 上海交通大学微电子技术研究所 200030
(李志奇，王庆康)，上海交通大学微电子技术研究所 200030(史常忻) |
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| 基金项目： | 国家自然科学基金资助项目 |
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| 摘 要： | 报导了作者研制的GaAs MSM—PD的直流及脉冲光电特性,对不同材料、不同结构尺寸的器件进行了试验和分析,测试结果:最大暗电流1.9nA,最高灵敏度为0.25A/W,FWHM小于110 ps(10V下),有较好的光电流和光功率线性关系,通过实验研究,发现对插指结构的器件在同一面积下受光面积与单位面积上的光电流存在最优化选择。
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| 关 键 词： | 砷化镓光电探测器 光电特性 |
Photoelectric Characteristics of GaAs MSM Photodetector |
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| Li Zhiqi,Wang Qingkang,Shi Changxin.Photoelectric Characteristics of GaAs MSM Photodetector[J].Research & Progress of Solid State Electronics,1992,12(3):224-229. |
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| Authors: | Li Zhiqi Wang Qingkang Shi Changxin |
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| Abstract: | In this paper, fabrication process and photoelectric characteristic of GaAs MSM-PD have been described. Using the Standard and compatible GaAs IC process,a GaAs MSM-PD has a low dark current(1.9n A at maximum and 1.1nA at minimum at voltage of 10 V), a maximum sensitivity of 0. 25 A/W, a full width at half maximum (FWHM) of the optical impulse of less than 110 ps with applied 10 V bias and a well-linear dependence of photocurrent on the input optical power. Through experimental research,the authers have found mat there is an optimum choice for electrode spacing. |
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| Keywords: | GaAs MSM Photodetector Photoelectric Characteristics |
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