| 基于低噪声和高线性度的差分CMOS LNA的设计 |
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| 引用本文： | 何国荣,纪娜. 基于低噪声和高线性度的差分CMOS LNA的设计[J]. 信息技术, 2013, 0(1) |
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| 作者姓名： | 何国荣 纪娜 |
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| 作者单位： | 1. 杨凌职业技术学院机电工程系,陕西杨凌,712100
2. 杨凌职业技术学院电子信息系,陕西杨凌,712100 |
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| 摘 要： | 基于TSMC 0.18μm CMOS工艺,设计了一种低噪声、高线性度的差分CMOS低噪声放大器。与传统的共源共栅结构相比,该电路在共源晶体管的栅源极并入一个电容以降低共源极的噪声;并在共栅极上引入一对交叉耦合电容和电感,以消除共栅极的噪声并提高电路的线性度。仿真结果表明,在2.4GHz的工作频率下,该电路的噪声系数仅有1.29 dB,该电路能够提供17dB的正向增益,良好的输入输出匹配,该放大器的输入三阶交调点为0.76dBm,功耗小于10mW。
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| 关 键 词： | 低噪声放大器 线性度提高 低噪声 交叉耦合电容 |
Design of CMOS LNA by noise reduction and linearity improvement |
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| HE Guo-rong , JI Na. Design of CMOS LNA by noise reduction and linearity improvement[J]. Information Technology, 2013, 0(1) |
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| Authors: | HE Guo-rong JI Na |
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| Keywords: | |
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