| GaN半导体材料的电学性质与光学性质分析 |
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| 引用本文： | 董少光,范广涵. GaN半导体材料的电学性质与光学性质分析[J]. 太阳能学报, 2008, 29(6) |
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| 作者姓名： | 董少光 范广涵 |
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| 作者单位： | 1. 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州,510631;佛山科学技术学院光电子与物理学系,佛山,528000
2. 华南师范大学光电子材料与技术研究所,广州,510631 |
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| 基金项目： | 广州市LED工业研究开发基地项目 , 香港健隆投资有限公司研发项目 |
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| 摘 要： | 用局部旋转密度近似的方法研究GaN材料的电学性质与光学性质,用Cr跃迁金属替代GaN半导体中的N原子,其原子浓度为1.56%.这种材料用孤立和部分填充的中间带表征,是高效太阳电池的候选材料.对中间带的轨道成分进行分析表明,中间带主要由跃迁金属的t-群轨道构成.吸收系数的理论计算结果表明,半导体材料的次带吸收会导致太阳能转换效率的增加.
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| 关 键 词： | 中间带 GaN 电学性质 光学性质 半导体材料 导体材料 电学性质 光学性质 分析表 SEMICONDUCTOR MATERIALS OPTICAL PROPERTIES ELECTRONIC 转换效率 太阳能 吸收系数 结果 理论计算 构成 群轨道 轨道成分 高效太阳电池 表征 中间带 部分填充 浓度 |
ANALYSIS OF ELECTRONIC AND OPTICAL PROPERTIES FOR GaN SEMICONDUCTOR MATERIALS |
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| Dong Shaoguang,Fan Guanghan. ANALYSIS OF ELECTRONIC AND OPTICAL PROPERTIES FOR GaN SEMICONDUCTOR MATERIALS[J]. Acta Energiae Solaris Sinica, 2008, 29(6) |
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| Authors: | Dong Shaoguang Fan Guanghan |
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| Affiliation: | Dong Shaoguang~(1,2) Fan Guanghan~1 (1.Institute of Optoelectronic Materials , Technology,South China Normal University,Guangzhou 510631,China,2.Department of Optoelectronic , Physics,Foshan Science , Technology College,Foshan 528000,China) |
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| Abstract: | The electronic and optical properties of GaN materials were studied with the local spin density approximation in this paper,where Cr transition metal substitutes for N in the GaN semiconductor with an atomic concentration of 1.56%. This material,characterized by an isolated and partially filled intermediate band,is a candidate for high-efficiency solar cells.The orbital composition of this intermediate band was analyzed,and it is mainly made up of a t-group orbital of the transition metal.The theoretical ca... |
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| Keywords: | intermediate band GaN electronic properties optical properties semiconductor materials |
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