首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
     


Unification of asymmetric DG, symmetric DG and bulk undoped-body MOSFET drain current
Authors:Adelmo Ortiz-Conde,Francisco J. Garcí  a S  nchez
Affiliation:aSolid State Electronics Laboratory, Simón Bolívar University, Caracas 1080, Venezuela
Abstract:
Keywords:Asymmetric   Symmetric   DG   Double-gate   MOSFET   Undoped   Charge-based   Surface potential-based
本文献已被 ScienceDirect 等数据库收录!
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号