| 硅衬底的化学机械抛光工艺研究 |
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| 引用本文： | 谭刚,吴嘉丽. 硅衬底的化学机械抛光工艺研究[J]. 仪器仪表学报, 2005, 26(8): 1906-1908 |
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| 作者姓名： | 谭刚 吴嘉丽 |
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| 作者单位： | 中国工程物理研究院电子工程研究所传感器研究中心,绵阳,621900 |
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| 摘 要： | 在分析硅衬底CMP的动力学过程基础上,提出了在机械抛光去除产物过程中,适当增强化学作用可显著改善产物的质量传输过程,从而提高抛光效率.在对不同粒径分散度的氧化铈抛光液进行比较后提出了参与机械研磨的有效粒子数才是机械抛光过程的重要因素,而不是单纯受粒径大小的影响.分析和讨论了CMP工艺中的几个影响因素,如粒径大小与分散度、pH值、温度、流量和浓度等.抛光后清洗,抛光雾得到了有效控制.
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| 关 键 词： | 硅衬底 化学机械抛光 (CMP) 纳米抛光料 动力学过程 |
Chemic-mechanical Polishing of Silicon Wafer |
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| TAN Gang,Wu Jiali. Chemic-mechanical Polishing of Silicon Wafer[J]. Chinese Journal of Scientific Instrument, 2005, 26(8): 1906-1908 |
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| Authors: | TAN Gang Wu Jiali |
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