| 硫系薄膜的力学及摩擦性能研究 |
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| 引用本文： | 聂德品.硫系薄膜的力学及摩擦性能研究[J].材料导报,2008,22(Z3). |
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| 作者姓名： | 聂德品 |
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| 作者单位： | 上海华龙测试仪器有限公司,上海,201202 |
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| 摘 要： | 利用电子回旋共振CVD设备制备了一种硫系GeSbTe薄膜,并用纳米硬度计考察了其抗压性能,同时采用划痕实验以及摩擦力显微镜研究了GeSbTe薄膜的摩擦特性.结果表明:GeSb2Te4膜的微观抗载荷性能随着膜厚的增加而显著增强;对于90nm厚度的GeSb2Te4来说,施加1000霳左右的载荷所获得的硬度和弹性模量值受基体的影响较小,分别为2.07GPa、38.70GPa;湿度对Ge2Sb2Te5膜和针尖粘附的影响没有GeSb2Te明显,而且粘附力的存在会改变摩擦系数.
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| 关 键 词： | GeSbTe膜 抗压性能 摩擦性能 相变存储 |
Study on Anti-compression and Friction Properties of Chalcogenide Films |
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| NIE Depin.Study on Anti-compression and Friction Properties of Chalcogenide Films[J].Materials Review,2008,22(Z3). |
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| Authors: | NIE Depin |
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| Keywords: | |
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