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| 超级光阻剂可望在10nm节点实现EUV微影 | |
| 摘 要： | 在英特尔(Intel)与美国能源部(DoE)劳伦斯柏克莱国家实验室(Lawrence Berkeley National Lab;LBNL)的合作下,已经发展出一种全新的超级光阻剂(super-resist),可望满足10nm及其以下先进制程节点使用超紫外光(EUV)微影的光源要求。 |
| 关 键 词： | 集成电路 制造工艺 光阻剂 EUV微影 |
| 本文献已被 CNKI 等数据库收录！ | |
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