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硅通孔TSV关键 降低成本和解决工艺路线
作者姓名:
陈炳欣
摘 要:
芯片工艺流程微缩和低介电值材料的限制,3D堆叠技术被视为能否以较小尺寸制造高效能芯片的关键,而硅通孔(TSV)可通过垂直导通整合晶圆堆叠的方式,达到芯片间的电路互连,有助于以更低的成本,提高系统的整合度与效能,是实现集成电路3D化的重要途径。未来,TSV的应用将取决于制造成本的进一步降低,业界对TSV发展途径的认识统一。
关 键 词:
集成电路
制造工艺
硅通孔
TSV
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