| 线形拟合在X射线衍射研究GaN薄膜材料结构时的必要性 |
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| 引用本文： | 陈志涛,徐科,杨志坚,苏月永,潘尧波,杨学林,张酣,张国义.线形拟合在X射线衍射研究GaN薄膜材料结构时的必要性[J].半导体学报,2006,27(8):1378-1381. |
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| 作者姓名： | 陈志涛 徐科 杨志坚 苏月永 潘尧波 杨学林 张酣 张国义 |
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| 作者单位： | 北京大学物理学院 人工微结构和介观物理国家重点实验室，北京大学宽禁带半导体研究中心，北京 100871;北京大学物理学院 人工微结构和介观物理国家重点实验室，北京大学宽禁带半导体研究中心，北京 100872;北京大学物理学院 人工微结构和介观物理国家重点实验室，北京大学宽禁带半导体研究中心，北京 100873;北京大学物理学院 人工微结构和介观物理国家重点实验室，北京大学宽禁带半导体研究中心，北京 100874;北京大学物理学院 人工微结构和介观物理国家重点实验室，北京大学宽禁带半导体研究中心，北京 100875;北京大学物理学院 人工微结构和介观物理国家重点实验室，北京大学宽禁带半导体研究中心，北京 100876;北京大学物理学院 人工微结构和介观物理国家重点实验室，北京大学宽禁带半导体研究中心，北京 100877;北京大学物理学院 人工微结构和介观物理国家重点实验室，北京大学宽禁带半导体研究中心，北京 100878 |
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| 摘 要： | 利用高分辨X射线衍射仪(XRD)分析了长时间退火前后的GaN样品.通过对各个样品的(0002)面摇摆曲线进行线形拟合及分析,发现虽然退火后摇摆曲线的半峰宽变大,但面外倾斜角(tilt)的值却变小,从而螺型穿透位错(TD)密度变小,这与化学腐蚀实验的结果一致.我们的结果表明,线形拟合在利用XRD研究GaN薄膜材料结构的过程中是十分必要的,而不能用摇摆曲线的展宽直接表征TD密度.
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| 关 键 词： | 高分辨XRD 摇摆曲线 穿透位错 线形拟合 射线衍射 研究 薄膜 材料结构 Thin Films Analyze Diffraction 表征 展宽 过程 结果 腐蚀实验 化学 密度 穿透位错 tilt 倾斜角 半峰宽 发现 |
| 文章编号： | 0253-4177(2006)08-1378-04 |
| 收稿时间： | 12 26 2005 12:00AM |
| 修稿时间： | 03 6 2006 12:00AM |
Necessity of Profile-Fitting when Using X-Ray Diffraction to Analyze GaN Thin Films |
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| Chen Zhitao,Xu Ke,Yang Zhijian,Su Yueyong,Pan Yaobo,Yang Xuelin,Zhang Han and Zhang Guoyi.Necessity of Profile-Fitting when Using X-Ray Diffraction to Analyze GaN Thin Films[J].Chinese Journal of Semiconductors,2006,27(8):1378-1381. |
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| Authors: | Chen Zhitao Xu Ke Yang Zhijian Su Yueyong Pan Yaobo Yang Xuelin Zhang Han and Zhang Guoyi |
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| Affiliation: | State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics,Research Center for Wide-band Semiconductors,School of Physics,Peking University,Beijing 100871,China;State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics,Research Center for Wide-band Semiconductors,School of Physics,Peking University,Beijing 100872,China;State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics,Research Center for Wide-band Semiconductors,School of Physics,Peking University,Beijing 100873,China;State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics,Research Center for Wide-band Semiconductors,School of Physics,Peking University,Beijing 100874,China;State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics,Research Center for Wide-band Semiconductors,School of Physics,Peking University,Beijing 100875,China;State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics,Research Center for Wide-band Semiconductors,School of Physics,Peking University,Beijing 100876,China;State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics,Research Center for Wide-band Semiconductors,School of Physics,Peking University,Beijing 100877,China;State Key Laboratory for Artificial Microstructure and Mesoscopic Physics,Research Center for Wide-band Semiconductors,School of Physics,Peking University,Beijing 100878,China |
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| Abstract: | High-resolution X-ray diffraction is utilized to analyze the micro-structure of annealed and as-grown GaN thin films grown by metalorganic chemical vapor deposition.Profile-fitting analyses indicate that the annealed ones have larger full widths at half maximum of (0002) rocking curve and lower densities of screw-type threading dislocations than the as-grown samples.A chemical etching experiment supports the above results.Our results indicate that profile-fitting is necessary when XRD is used to characterize the structure of GaN thin films. |
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| Keywords: | high-resolution X-ray diffraction rocking curve threading dislocation |
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