| 一款微波双极晶体管的设计和实现 |
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| 引用本文： | 米保良,吴国增. 一款微波双极晶体管的设计和实现[J]. 半导体技术, 2008, 33(9) |
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| 作者姓名： | 米保良 吴国增 |
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| 作者单位： | 聊城大学,东昌学院,山东,聊城,252000;聊城大学,东昌学院,山东,聊城,252000 |
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| 基金项目： | 聊城大学东昌学院高科技发展项目 |
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| 摘 要： | 对双极晶体管结构和关键性能参数进行了研究和设计,并进行了流片测试.介绍了器件工艺步骤及其采用的工艺结构.对器件的特征频率、Gummel曲线、发射极电子和空穴浓度、CE击穿特性模拟、β/Ic曲线等关键参数进行了模拟.模拟器件最高特征频率为10 GHz,流片测试最高特征频率为9.5 GHz.
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| 关 键 词： | 双极晶体管 特征频率 双层多晶硅 增益 |
Design and Implementation of a Microwave Bipolar Transistor |
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| Mi Baoliang,Wu Guozeng. Design and Implementation of a Microwave Bipolar Transistor[J]. Semiconductor Technology, 2008, 33(9) |
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| Authors: | Mi Baoliang Wu Guozeng |
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| Affiliation: | Mi Baoliang,Wu Guozeng(School of Dongchang,Liaocheng University,Liaocheng 252000,China) |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | bipolar transistor characteristic frequency double-polysilicon gain |
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