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| MOS集成电路电过应力损伤的模式和机理 | |
| 作者姓名： | 吴建忠 |
| 作者单位： | 中国华晶电子集团公司 江苏无锡214061 |
| 摘 要： | 电过应力是造成MOS集成电路损坏的主要原因.本文结合静电放电的三种模型,详细分析了MOS集成电路电过应力损伤的模式和机理. |
| 关 键 词： | MOS 集成电路 静电放电 模型 失效 分析 |
| 本文献已被 CNKI 维普 等数据库收录！ | |
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