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| 适用于单片集成的InGaAsP/InP微解理槽型激光器 | |
| 作者姓名： | U. Koren 程阜民 |
| 作者单位： | 美国加利福尼亚理工学院 |
| 摘 要： | 在光电子集成电路中用作光源的激光器应该满足某些必要条件。一个重要的必要条件就是与标准微电子技术的相容性。而且集成电路的尺寸不应受激光器谐振腔腔长所限制,也就是说,至少激光器的一个反射面应该集成在衬底内部。这可以采用微解理技术和化学腐蚀镜面以及其它技术来实现。本文报导一种在半绝缘衬底上制成的新型槽型InGaAsP/InP激光器。该激光器虽然与以前介绍过的槽型激光器基本相同,但是它还具有另外一些特点,使得它与标准集成电路技术更为协调。这种结构几乎是平面结构,这对以后的光刻工艺是有利的。同时,只需在半绝缘InP衬底上进行一次液相 |
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