| 77K下电流增益为2.6万的SiGe/Si HBT |
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| 引用本文： | 邹德恕,陈建新,徐晨,魏欢,史辰,杜金玉,高国,邓军,沈光地. 77K下电流增益为2.6万的SiGe/Si HBT[J]. 半导体技术, 2001, 26(3): 51-52,55 |
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| 作者姓名： | 邹德恕 陈建新 徐晨 魏欢 史辰 杜金玉 高国 邓军 沈光地 |
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| 作者单位： | 北京工业大学电子信息与控制工程学院，北京 100022 |
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| 基金项目： | 北京市自然科学基金;4962005; |
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| 摘 要： | 通过优化设计SiGe/SiHBT的纵向参数，找到一种低温工艺方法，研制出了在液氮温度下电流增益达到26000的高增益异质结晶体管。
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| 关 键 词： | HBT 电流增益 锗化硅 异质结晶体管 |
| 文章编号： | 1003-353X(2001)03-0051-02 |
SiGe/Si HBT with a current gain of 26000 in the temperature of 77K |
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| ZOU De-shu,CHEN Jian-xin,XU Chen,WEI Huan,SHI Chen,DU Jin-yu,GAO Guo,DENG Jun,SHEN Guang-di. SiGe/Si HBT with a current gain of 26000 in the temperature of 77K[J]. Semiconductor Technology, 2001, 26(3): 51-52,55 |
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| Authors: | ZOU De-shu CHEN Jian-xin XU Chen WEI Huan SHI Chen DU Jin-yu GAO Guo DENG Jun SHEN Guang-di |
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| Abstract: | By optimizing the longitudinal,we have designed the SiGe/Si HBT parameter with technologies for low temperature. As a result, the SiGe/Si HBT with a current gain of 26000 in the temperature of liquid nitrogen (77K) is obtained. |
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| Keywords: | SiGe/Si HBT current gain technologies for low temperature |
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