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| 金属铜缺陷的正电子湮没寿命谱的理论研究 | |
| 作者姓名： | 顾秉林 楼永明 高乃飞 熊家炯 |
| 作者单位： | 清华大学(顾秉林，楼永明，高乃飞)，清华大学(熊家炯) |
| 摘 要： | 金属缺陷的研究工作一直是凝聚态物理中比较活跃的领域之一,这不但在学术上有重要价值,而且在实际应用领域有着深远意义。正电子技术使我们有可能在低浓度和A尺度上研究缺陷的电子结构。通过金属缺陷的研究可以使我们加深缺陷对金属材料性能的影响的理解,以便找出提高材料性能的方法。本文我们研究了Cu中1、2、3、4、6、 9、10、13、15空位团,Cu中H-、He-空位团复合体(1、2、3空位)的电子结构和正电子湮没寿命谱。我们采用胶体模型,利用密度泛函理论和交换能关联能的局域密度近似。在本模型中我们对缺陷作了球对称近似,这时正电荷分布n_(ext)(r)为: |
| 关 键 词： | 正电子湮没寿命 空位团 杂质 |
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