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分类号
杂志ISSN号
β-SiC晶须的生长及微观结构研究
作者姓名:
马峻峰
沈君权
作者单位:
山东工业陶瓷研究设计院(马峻峰),山东工业陶瓷研究设计院(沈君权)
摘 要:
以高岭土、超细碳粉为原料,采用高温碳热还原方法合成出性能良好的β-SiC晶须。运用XRD,SEM,TEM,EDAX等分析检测技术研究了该晶须的结晶特征及生长机理。结果表明:晶须沿<111>方向具有平行的堆垛层错,横断面呈正三角形,晶须顶端存在螺旋位错。该方法生产的β-SiC晶须,其生长过程为“VS”机理。
关 键 词:
β-SiC晶须合成
碳热还原法
结晶特征
生长机理
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