| 富碳β-SiC的燃烧法合成及微波介电性能 |
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| 引用本文： | 李智敏,周万城,苏晓磊,黄云霞,李桂芳.富碳β-SiC的燃烧法合成及微波介电性能[J].稀有金属材料与工程,2009,38(Z2). |
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| 作者姓名： | 李智敏 周万城 苏晓磊 黄云霞 李桂芳 |
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| 作者单位： | 1. 西安电子科技大学技术物理学院,陕西,西安,710071
2. 西北工业大学凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072 |
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| 摘 要： | 以硅粉和炭黑为原料,利用燃烧合成法,在0.1MPa 的N_2气氛下合成了β-SiC粉体.对其进行拉曼光谱和SEM表征,结果表明:合成的SiC为含有C反位缺陷C_(si)和石墨态sp~2C的富C β-SiC固溶体.添加剂聚四氟乙烯(PTFE)含量为10%时合成的SiC粉体为等轴状团聚颗粒,粒径约为0.2μm,随着PTFE添加量的增加,SiC粉体颗粒的平均粒径增大.在8.2～12.4 GHz频率范围对所合成SiC的介电常数进行测试,发现15%PTFE时合成的SiC粉体具有较好的介电常数实部ε'、虚部ε"和介电损耗tanδ,对其微波损耗机理进行了讨论.
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| 关 键 词： | 点缺陷 介电性能 燃烧合成 |
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