| 高Al组分AlGaN及其光导器件 |
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| 引用本文： | 陈 亮 许金通 白 云 陈 俊 龚海梅. 高Al组分AlGaN及其光导器件[J]. 激光与红外, 2006, 36(9): 868-870 |
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| 作者姓名： | 陈 亮 许金通 白 云 陈 俊 龚海梅 |
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| 作者单位： | 传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理所,上海,200083;传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理所,上海,200083;传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理所,上海,200083;传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理所,上海,200083;传感技术国家重点实验室,中国科学院上海技术物理所,上海,200083 |
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| 摘 要： | 在蓝宝石(0001)衬底上采用金属有机化学气相淀积(MOCVD)方法生长了掺Si的n型Al0. 45 Ga0. 55N外延层,透射光谱表明材料对280nm以前紫外光显著吸收;双晶摇摆曲线表明材料存在大量缺陷。用此材料制作了光电导探测器,结合材料讨论了持续光电导效应的产生机理。
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| 关 键 词： | AlGaN 紫外光 持续光电导性 |
| 文章编号： | 1001-5078（2006）09-0868-03 |
| 收稿时间： | 2006-03-11 |
| 修稿时间： | 2006-03-11 |
AlGaN with High Al Fraction and Its Photoconductive Detector |
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| CHEN Liang,XU Jin-tong,BAI Yun,CHEN Jun,GONG Hai-mei. AlGaN with High Al Fraction and Its Photoconductive Detector[J]. Laser & Infrared, 2006, 36(9): 868-870 |
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| Authors: | CHEN Liang XU Jin-tong BAI Yun CHEN Jun GONG Hai-mei |
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| Affiliation: | State key Laboratories of Transducer Technology, Shanghai Institute of Technical Physics, Chinese Academy of Sciences, Shanghai 200083, China |
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| Abstract: | The Si doped n-Al0. 45 Ga0. 55N ep ilayers have been grown on sapphire ( 0001) substrate by metal organic chemical vapor deposition. The transmittance measurement indicates that the materials absorb ultraviolet radiation a-bove 280nm notablely and the rocking curve of the AlGaN ep itaxial material shows that there are abundant disloca-tions. Photoconductive detectors are fabricated on the material and the mechanism of photoconductor in AlGaN is discussed. |
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| Keywords: | AlGaN |
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