| 磁控溅射MoS2薄膜的生长特性研究 |
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| 引用本文： | 王吉会,杨静.磁控溅射MoS2薄膜的生长特性研究[J].润滑与密封,2005(6):12-14. |
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| 作者姓名： | 王吉会 杨静 |
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| 作者单位： | 王吉会（天津大学材料科学与工程学院,天津,300072）;杨静（天津大学材料科学与工程学院,天津,300072） |
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| 基金项目： | 教育部留学回国人员科研启动基金资助项目(413175). |
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| 摘 要： | 利用非平衡磁控溅射技术制备出二硫化钼薄膜,并通过扫描电子显微镜和X射线衍射仪研究了工作气压和沉积时间对薄膜表面形貌和结构的影响及其演化规律.实验结果表明,在小于0.40
Pa的气压下,沉积MoS2薄膜的(002)面平行于基体表面,而在高于0.60Pa的高气压下,膜层的(002)面垂直于基体表面.在沉积初期,无论工作气压的高低,薄膜均按(002)基面的方式生长;在沉积后期,低气压下形成的薄膜仍按(002)基面方式生长,而在高气压下薄膜将转向以(002)基面与(100)或(110)棱面联合的方式生长.薄膜的表面形貌、微观结构,与薄膜的生长速率和沉积粒子的能量有关.
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| 关 键 词： | 磁控溅射 二硫化钼 薄膜 生长规律 |
| 文章编号： | 0254-0150(2005)6-012-3 |
| 修稿时间： | 2004年11月17 |
Growth Characteristics of
MoS2 Coatings Prepared by Magnetron Sputtering |
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| Wang Jihui.Growth Characteristics of
MoS2 Coatings Prepared by Magnetron Sputtering[J].Lubrication Engineering,2005(6):12-14. |
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| Authors: | Wang Jihui |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | |
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