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高性能MOS结构高频C-V特性测试仪
引用本文:陈国杰,曹辉,谢嘉宁. 高性能MOS结构高频C-V特性测试仪[J]. 电测与仪表, 2004, 41(11): 22-24
作者姓名:陈国杰  曹辉  谢嘉宁
作者单位:佛山大学,理学院,广东,佛山,528000;佛山大学,理学院,广东,佛山,528000;佛山大学,理学院,广东,佛山,528000
基金项目:广东省教育厅自然科学基金资助项目(Z02069)
摘    要:MOS结构高频C-V(电容-电压)特性测量是检测MOS器件制作工艺的重要手段。本阐述了用高频检测法测量MOS电容的原理,介绍了用变频技术和集成芯片设计MOS结构高频C-V特性测试仪的方法。该测试仪电路简单,成本低,分辨率高,测量准确,稳定性好。

关 键 词:MOS电容  变频  放大器  测试仪
文章编号:1001-1390(2004)11-0022-03
修稿时间:2004-08-11

High performance tester for high frequency C-V characteristic of MOS structure
CHEN Guojie,CAO Hui,XIE Jianing. High performance tester for high frequency C-V characteristic of MOS structure[J]. Electrical Measurement & Instrumentation, 2004, 41(11): 22-24
Authors:CHEN Guojie  CAO Hui  XIE Jianing
Abstract:The principle of MOS capacitance measurement based on the method of high frequency detection is presented. The design method of tester for high frequency C-V Characteristic of MOS structure using frequency conversion technique and integrated chip is introduced. The tester has advantages of simple circuit, low cost, high resolution, accurate result and good stabilization.
Keywords:MOS capacitor  frequency conversion  amplifier  tester  
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