| MOSFET衬底电流模型及参数提取 |
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| 引用本文： | 刘永强,于奇,刘玉奎,李竞春,陈勇. MOSFET衬底电流模型及参数提取[J]. 微电子学, 1999, 29(3): 2 |
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| 作者姓名： | 刘永强 于奇 刘玉奎 李竞春 陈勇 |
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| 作者单位： | ：电子科技大学微电子科学与工程系（刘永强 于奇 李竞春 陈 勇） |
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| 基金项目： | 中国科学院资助项目，国防预研基金 |
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| 摘 要： | 在短沟道MOSFET器件物理的基础上，导出了其衬底电流解析模型，并通过实验进行了模型参数提取。模型输出与短沟MOSFET实测结果比较接近，可应用于VLSI／ULSI可靠性模拟与监测研究和亚微米CMOS电路设计。
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| 关 键 词： | 半导体器件 衬底电流模型 参数提取 |
| 修稿时间： | 1998-09-15 |
Substrate Current Model for MOSFETs and Its Parameter Extraction |
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| LIU Yong-Qiang,YU Qi,LIU Yu-Kui,LI Jing-Chun,CHEN Yong. Substrate Current Model for MOSFETs and Its Parameter Extraction[J]. Microelectronics, 1999, 29(3): 2 |
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| Authors: | LIU Yong-Qiang YU Qi LIU Yu-Kui LI Jing-Chun CHEN Yong |
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| Abstract: | |
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| Keywords: | MOSFET |
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