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| "神光Ⅱ"基频直接驱动内爆出中子靶制备工艺 | |
| 作者姓名： | 郑永铭 王明达 邱龙会 游丹 袁玉萍 杨淑娟 黄丽珍 |
| 作者单位： | 中国工程物理研究院,激光聚变研究中心,四川,绵阳,621900 |
| 摘 要： | 描述了"神光Ⅱ"基频直接驱动内爆出中子靶制备工艺.用该工艺制备的爆推靶、烧蚀靶在"神光Ⅱ"装置上用基频光进行物理实验,分别获得了4×109个中子和6×108个中子的高中子产额,与理论计算的中子产额值符合较好. |
| 关 键 词： | 制备工艺 内爆出中子靶 空心玻璃球 氘 氚 燃料气体 “神光Ⅱ”装置 爆堆靶 烧蚀靶 |
| 文章编号： | 1000-6931(2002)04/05-0297-04 |
| 修稿时间： | 2001-08-25 |
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