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DOI
责任编辑
分类号
杂志ISSN号
用GaAs张应变层控制InP衬底上InAs三维岛的有序排列
作者姓名:
王本忠
赵方海
彭宇恒
刘式墉
作者单位:
集成光电子学国家重点实验室吉林大学分区,吉林大学电子工程系
摘 要:
提出了一种用张应变层控制自组装量子点有序排列的方法,通过低压MOCVD技术在InP衬底上利用GaAs张应变层的控制作用成功地制备出正交网格化有序排列的InAs岛状结构.
关 键 词:
砷化铟 磷化铟 MOCVD 砷化镓
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