| a-Si:H/a-Si_(1-x)C_x:H 多层膜的电学和光学性质 |
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| 引用本文： | 彭启才,周心明,蔡伯埙. a-Si:H/a-Si_(1-x)C_x:H 多层膜的电学和光学性质[J]. 材料研究学报, 1989, 3(1): 65-70 |
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| 作者姓名： | 彭启才 周心明 蔡伯埙 |
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| 作者单位： | 四川大学(彭启才，周心明)，四川大学(蔡伯埙) |
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| 摘 要： | 采用等离子体辉光放电单室系统制备的 a-Si:H/a-Si_(1-x)C_x:H 多层膜结构具有低的暗电导和高的光电导特性,且不同于单层膜,有明显的 S-W 效应。随着子层厚度 L 减小,多层膜曝光态(B)的暗电导率σdB 较退火态(A)的σdA 减小快,即光诱导衰退程度增大,而光电导无明显变化。本文还测定了此多层膜结构的光能隙 E_g,得到随子层厚度减小“蓝移”的结果。用一维单量子阱模型作了讨论,实验值与理论计算符合较好。
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| 关 键 词： | a-Si:H/a-Si_(1-x)C_x:H 超晶格 非晶半导体 电学性质 光学性质 |
| 收稿时间： | 1989-02-25 |
| 修稿时间： | 1989-02-25 |
ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF a-Si:H/a-Si_(1-X)C_x:H MULTILAYERS |
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| PENG Qicai ZHOU Xinming CAI Boxun. ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF a-Si:H/a-Si_(1-X)C_x:H MULTILAYERS[J]. Chinese Journal of Materials Research, 1989, 3(1): 65-70 |
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| Authors: | PENG Qicai ZHOU Xinming CAI Boxun |
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| Affiliation: | PENG Qicai ZHOU Xinming CAI Boxun (Sichuan University,Chengdu) |
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| Abstract: | The a-Si:H/a-Si_(1-x)C_x:H multilayers synthesized by RFglow dischargedeposition in a single-chamber plasma reacter have shownlower darkconductivity,higher photoconductivity and apparent S-W effectother than unlayered samples.With decreasing the sublayer |
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| Keywords: | a-Si:H/a-Si_(1-x)-C_x:H superlattice amorphous semiconductors electrical properties optical properties |
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