| Zn_(1-x)Mn_xSe/Zne应变超晶格的分子束外延生长及特性研究 |
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| 引用本文： | 靳彩霞,凌震,王东红,俞根才,王杰,黄大鸣,侯晓远,沈孝良,姚文华.Zn_(1-x)Mn_xSe/Zne应变超晶格的分子束外延生长及特性研究[J].半导体学报,1997,18(9):648-653. |
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| 作者姓名： | 靳彩霞 凌震 王东红 俞根才 王杰 黄大鸣 侯晓远 沈孝良 姚文华 |
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| 作者单位： | 复旦大学应用表面物理国家重点实验室!上海，200433，复旦大学应用表面物理国家重点实验室!上海，200433，复旦大学应用表面物理国家重点实验室!上海，200433，复旦大学应用表面物理国家重点实验室!上海，200433，复旦大学应用表面物理国家重点实验室!上海，200433，复旦大学应用表面物理国家重点实验室!上海，200433，复旦大学应用表面物理国家重点实验室!上海，200433，复旦大学分析测试中心!上海，200433，复旦大学分析测试中心!上海，200433 |
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| 摘 要： | 用分子束外延方法在GaAS（100）衬底上成功生长了高质量的Zn1-xMnxSe／Znse（x＝0．16，x＝0．14）超晶格结构．用X射线衍射和喇曼散射对其结构、应变分布以及光散射性能进行了研究．当超晶格的总厚度大于其临界厚度时，超晶格将完全弛豫至一个新的平衡晶格常数．此时，在（100）平面内，ZnSe阱层受到张应变，而Zn1-xMnxSe垒层受到压应变，从而，导致其喇曼光谱中，ZnSe阱和Zn1-xMnxSe垒的LO声子峰分别向低频方向和高频方向移动．当超晶格总厚度小于其临界厚度时，超晶格不再弛豫而是保持过渡层Znse的晶格常数，此时，ZnSe阶层不再受到应变，而Zn1－xMn
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